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纳芯微今日宣布推出其基于电容隔离技术的第三代车规级数字隔离器NSI83xx系列，标志着公司在隔离技术领域近10年的持续投入和技术积累达到了新的里程碑。相较于前代产品NSI82xx系列，NSI83xx系列在EMI（抗电磁干扰）、EOS（过电应力）性能方面进行了重点优化，并通过电路设计、封装测试等多方面的改进，大幅降低了成本。
作为“隔离+”产品线的新成员，NSI83xx系列首次推出了涵盖1至4通道的数字隔离器选项，专为新能源汽车中的车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）、主驱逆变器和热管理PTC系统设计，提供了高性价比的选择。该系列产品不仅满足了增强绝缘的要求，在隔离耐压方面可实现超过10kVrms（1分钟），并且能够承受大于12kV的浪涌电压。此外，在1ppm失效率下，长期工作电压大于1500Vrms时，其电容隔离层寿命超过30年，确保高压系统的长期可靠性。
特别值得一提的是，NSI83xx系列针对EMI性能进行了专项优化，采用纳芯微专有的电路设计，使其在整个频段范围内通过了严格的CISPR 25 Class 5测试，RE指标保持了大于10dB的裕度。这使得该系列在复杂电磁环境下仍能稳定运行，大大减少了电磁干扰对系统稳定性的影响。
除了EMI性能的提升，NSI83xx系列还在EOS和CMTI（共模瞬态抗扰度）方面表现出色。相比第二代产品，NSI83xx系列的EOS性能提升了约10%，达到大于10V的水平，有效提高了器件面对电源过应力时的可靠性。对于新能源汽车中广泛应用的SiC功率器件而言，NSI83xx系列的CMTI典型值达到了200kV/μs，处于行业领先水平，确保了信号传输的准确性和稳定性，避免了误导通和信号失真现象的发生。
预计于2025年8月量产的NSI83xx系列符合AEC-Q100标准，提供从1到4通道的不同版本，支持包括SOP8、SOW8、SOW16以及超宽体SOWW16在内的多种封装形式。其中，超宽体SOWW16封装爬电距离大于8mm，满足特定应用的安全要求。通讯速率为100Mbps，适用于高速数据传输需求。
纳芯微凭借在隔离技术领域的深厚积淀，不仅提供了广泛的数字隔离器选择，还涵盖了隔离采样、隔离接口、隔离电源及隔离驱动等“隔离+”产品，旨在满足不同客户多样化的设计需求，提供一站式的芯片解决方案。无论是在新能源汽车还是其他工业应用场景中，纳芯微的产品都致力于提高系统的可靠性和安全性，推动各行业的智能化与自动化进程。
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