AOS闪耀2025慕尼黑上海电子展，引领电子科技新潮流

2025年慕尼黑上海电子展已经落下帷幕，这场全球电子科技领域的顶级盛会再次吸引了众多目光。众多顶尖电子行业企业汇聚一堂，不仅展示了行业前沿技术，还为新老伙伴提供了绝佳的交流机会。AOS作为其中的佼佼者，凭借其AI高性能功率器件及创新电源解决方案，成为展会的一大亮点，与行业伙伴共同探讨电子行业的未来发展方向。

在展会期间，AOS应用工程资深总监刘松先生出席了《2025 AI技术创新论坛》，深入分析了AI系统电源的基本架构与发展趋势。他重点介绍了AOS公司针对AI电源设计的高性能解决方案，这一方案涵盖了三大核心优势。首先，AOS采用了宽SOA（安全工作区）设计的热插拔功率MOSFET，适用于48V至12V/6V/1V的DC-DC模块或非隔离混合开关电容电源。其次，公司推出的40V/60V/80V中压功率MOSFET产品，不仅高效能，还拥有明确的技术路线。最后，针对GPU/CPU供电的VR整体解决方案通过控制器与DRMOS/SPS的协同设计，实现了高功率密度与快速动态响应。

AOS在现场展示了专为显卡和AI服务器中的高性能GPU及SoC设计的新型控制器AOZ73016QI。这款控制器符合最新的OpenVReg16 (OVR16)规范，基于公司自主研发的高性能AOS专有的高级瞬态调制器（A2TM）控制方案设计。除了满足OVR16规范的基本要求外，该控制器还具备多种增值功能。例如，它可以通过对RDS(on)和电感DCR的监测来实现电流监测和电流平衡的自动调节。这些功能使得该控制器能够支持DrMOS和智能功率级（SPS）模块，为AI服务器和显卡提供完整的电源系统管理解决方案，并提升设计的灵活性。此外，该控制器通过PMBUS接口实现用户完整的自定义和修改功能，并符合AVS总线标准。它还具备数字可编程的电压和电流调节回路，最大限度地减少了实现解决方案所需的外部组件。同时，该设备支持电子控制系统（ECS）的可编程性，能够在现场更新配置，并通过引脚选择预编程最多六个配置设置。

当AOZ73016QI与AOS行业领先的DrMOS和智能功率级搭配使用时，可提供一套完整的GPU或AI SoC供电解决方案，广泛适用于数据中心、显卡及高性能计算领域等电池供电设备。同时，AOS还推出了一款专为48V热插拔应用设计的AOTL66935 MOSFET。这款采用TOLL封装的MOSFET具有增强型高安全工作区（SOA），并且即将推出LFPAK8x8封装的AOLV66935。这两款MOSFET具备超低导通电阻（<1.9mΩ），最大结温可达175℃。通过优化，它们具有极低的导通电阻和强壮的线性区能力，确保在AI服务器和电信设备等对性能、可靠性和质量要求极高的应用场景中提供出色的保护和稳定性。

此外，AOS推出的AOZ17517QI是一款高密度集成的12V热插拔限流保护电子保险丝，采用QFN5x5-32L封装。该器件支持27V最大输入/输出电压，具备可编程软启动功能，有效抑制高容性负载的浪涌电流。其内置输入欠压锁定（UVLO）、热关断保护（TSD）及可配置的故障恢复模式（锁存/自动重试）。通过外部电阻可调节过流保护阈值，并集成精准的电流/电压监测功能。该器件支持并联使用以满足大电流需求，为前端电源保护提供高可靠性解决方案。

在AI DCDC电源模块的MOSFET方面，AOS推出了AONC和AONA系列，采用全新的双面散热DFN33（center gate source down）和DFN56封装。这些封装大幅提升了MOSFET的散热性能，并全面优化了温度循环下的板级可靠性。在电气性能上，它们进一步优化了FOM RdsonQg、RdsonQrr，完美适配各种高功率密度的模块应用。

AOS还推出了新一代的高压超结平台——αMOS E2。该平台具备出色的品质因素（FOM）、强壮的快速恢复体二极管以及极佳的抗短路电流能力，专为各种高功率密度的性能导向电源供应器而开发。基于此平台，AOS推出的第一款产品AOTL037V60DE2即将进入量产。这款产品具备超低导通电阻（37 mohm）和强壮的体二极管，经实测体二极管可耐受80A、1000A/us的快速电流变化。MOSFET在短路时可承受12us，在实现高性能的电源设计的同时，更可以充分确保系统在极端条件下的可靠性和稳定性，特别符合AI服务器电源以及太阳能光伏等关键任务应用。

2025年慕尼黑上海电子展上，AOS凭借其创新的高性能产品和解决方案，展现了其在电子科技领域的强大实力和领先地位。未来，AOS将继续致力于技术创新，为全球电子行业的发展贡献更多力量。

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