2025年第三代SiC MOSFET快充技术研讨会：AOS分享0V关断新见解

来源：AOS| 发布日期：2025-04-23 14:02:48 浏览量：

由CSE组委会与充电头网联合举办的2025年度第三代半导体机器人快充新技术研讨会，将于4月24日在武汉光谷科技会展中心拉开帷幕。此次盛会特别邀请了AOS SiC团队参与交流，其中应用工程经理朱礼斯先生将带来一场关于《AOS第三代aSiC MOSFET使用0V关断电压的可行性研究》的主题演讲，为参会者揭示碳化硅（SiC）材料在高效率、高功率密度应用场景中的最新进展。

随着电力电子领域对高效能解决方案的需求不断增长，SiC作为一种宽禁带半导体材料，因其具备的高击穿电场、优异的热导率以及高的电子饱和漂移速度等特性而受到广泛关注。基于这些特性，SiC MOSFET不仅能够实现较低的导通电阻，还支持更高的开关频率和更宽的工作温度范围，尤其适合应用于新能源汽车、工业电源及可再生能源系统中那些对效率和功率密度有严格要求的场合。

尽管SiC MOSFET传统上采用负压进行关断以确保其稳定性和可靠性，但在某些特定的应用环境中，例如为了简化电路设计或降低成本，可能需要考虑使用0V作为关断电压。针对这一需求，AOS团队深入研究了SiC MOSFET在0V关断条件下的可行性，通过分析不同的应用拓扑结构、器件参数、驱动波形，并结合实际应用场景，探讨了如何在不牺牲性能的前提下实现0V关断的技术路径及其带来的潜在优势。

AOS公司在第三代半导体材料尤其是SiC技术的研发方面取得了显著成就，现已进入第三代产品开发阶段。目前，AOS已成功推出了多款基于αSiC技术的MOSFET产品，致力于进一步拓展其产品线，旨在加速SiC技术在包括但不限于新能源汽车、工业电源以及可再生能源领域的普及应用。

此次会议上，朱礼斯先生将详细介绍AOS在探索0V关断电压可行性的过程中所取得的研究成果，包括具体的应用案例和技术细节，这无疑将为业界提供宝贵的参考信息，并促进相关技术的发展与创新。此外，会议还将设置互动环节，鼓励参会人员就各自关心的问题与专家进行面对面交流，共同探讨第三代半导体技术的未来发展方向。

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