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东芝推出新一代碳化硅MOSFET，降低开关损耗，提高设备效率

来源：中芯巨能| 发布日期：2023-09-01 10:00:01 浏览量：

东芝在8月31日宣布推出一款新的碳化硅（SiC）MOSFET产品系列，名为“TWxxxZxxxC系列”，旨在支持工业设备应用。这一系列产品包括五款额定电压为650V和五款额定电压为1200V的型号，全部将于今日开始批量出货。这些产品采用了东芝最新的第3代碳化硅MOSFET芯片，并采用了4引脚TO-247-4L(X)封装，以降低开关损耗。

新型TWxxxZxxxC系列的封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，这有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品相比，新型TWxxxZxxxC系列的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%。这一改善将有助于降低设备功率损耗，提高设备的效率。

东芝推出新一代碳化硅MOSFET

东芝还在其官网上发布了使用新型SiC MOSFET的3相逆变器参考设计，以帮助用户在应用中更好地使用这一新产品。东芝表示，他们将继续扩大自身产品线，以进一步适应市场趋势，并帮助用户提高设备效率和扩大功率容量。

使用新型SiC MOSFET的3相逆变器

简易方框图

这款新型SiC MOSFET可以应用于多个领域，包括开关电源（如服务器、数据中心、通信设备等）、电动汽车充电站、光伏变频器和不间断电源（UPS）等。该产品具有以下特点：采用4引脚TO-247-4L(X)封装，栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗；采用第3代碳化硅MOSFET技术；具有低漏源导通电阻和低二极管正向电压等特性。

东芝的新一代碳化硅MOSFET产品系列将为工业设备应用带来更高的效率和更低的功率损耗，助力推动工业领域的发展和进步。

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