罗姆(ROHM)亮相PCIM Asia 2023展示SiC和GaN功率器件

近日，罗姆(ROHM)参加了在上海新国际博览中心举办的2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia)，展示了其在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体领域的丰富产品阵容及解决方案。罗姆凭借其先进的碳化硅功率元器件技术和控制IC、模块技术，为工业设备和汽车领域的节能化与小型化做出了贡献。

碳化硅器件具有低开关损耗和低导通电阻的特性，相较于传统的硅器件，在节能方面具备更大的优势。罗姆在碳化硅功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，其先进的SiC MOSFET技术实现了低导通电阻，从而减少了开关损耗。此外，罗姆的SiC MOSFET还支持15V和18V的栅极-源极电压，为包括汽车逆变器和各种开关电源在内的应用实现了显著的小型化和低功耗。在本次展会上，罗姆展示了面向车载应用的第3代和第4代SiC MOSFET系列产品。

氮化镓相关产品也是罗姆的重点展示内容之一。氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)作为一种高效能、小型化的器件，被广泛应用于提高功率转换效率的领域。罗姆在2022年推出了栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT，并在2023年3月推出了能够更大程度发挥GaN性能的控制IC技术。此外，罗姆还推出了性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT，以助力各种电源系统的效率提升和小型化。结合功率电子和模拟两大核心技术优势，罗姆还推出了集成了GaN HEMT和栅极驱动器的EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，该产品简化了GaN器件的安装，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积。在本次PCIM Asia展会上，罗姆展示了一系列氮化镓相关产品，包括用于电池管理系统的高压GaN HEMT、用于电动汽车和混合动力汽车的高压GaN HEMT和驱动器等。

此外，罗姆还展示了一系列针对xEV牵引逆变器应用的栅极驱动器产品。其中，BM6112FV-C专为高功率IGBT和SiC应用而设计，具备20A的栅极驱动电流，可满足高功率应用的需求。

在AC-DC转换器IC产品系列方面，罗姆提供了多种不同耐压等级的产品，包括650V、800V和1700V。这些产品可用于各种外接交流电源产品，并采用准谐振操作实现软开关，有助于保持较低的电磁干扰(EMI)。BM2SC12xFP2-LBZ是其中一款产品，内置了1700V的SiC MOSFET（场效应管），方便设计，有效降低轻负载时的电力消耗，并具备各种保护功能。

罗姆通过其丰富的碳化硅和氮化镓技术解决方案，为工业设备和汽车领域的节能化和小型化提供了强大的支持。这些先进的功率元器件和控制IC产品将有助于提高能源效率，减少能源消耗，并推动可持续发展。