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Microchip发布面向VS Code的MPLAB扩展早期体验版本
发布时间:2024-06-28
Microchip Technology(微芯科技公司)今日发布了面向Microsoft® Visual Studio® Code (VS Code®)的 MPLAB®扩展(MPLAB® Extensions)早期体验版本,旨在充分利用VS Code的多功能性。这一举措为嵌入式设计人员提供了将项目从MPLAB X集成开发环...
欧洲半导体厂商Nexperia宣布在汉堡投资2亿美元发展宽禁带半导体产品
发布时间:2024-06-28
近日,全球知名半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣布计划在汉堡工厂投资2亿美元(约合1.84亿欧元),用于研发下一代宽禁带半导体产品,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),并建立生产基础设施。同时,公司还将增加硅(Si)二极管和晶体管的产能。这一重大投资是为了...
【科普】双向二极管的广泛应用领域
发布时间:2024-06-27
双向二极管(Bidirectional Diode),也称为双向恒流二极管或双向TVS二极管,是一种特殊用途的二极管,具有正反向承受电压的能力,并能有效地保护电路免受电压过高的冲击。双向二极管在众多领域中都有着广泛的应用,二极管供应商-中芯巨能将为您介绍双...
N沟MOS管接电源正负极连接指南
发布时间:2024-06-27
N沟MOS管(N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常用的半导体器件,用于控制和放大电流。在应用中,正确连接电源正负极至N沟MOS管是至关重要的。MOS管供应商-中芯巨能将介绍N沟MOS管如何接电源正负极,以确保器件...
IAR与矽力杰共同助力中国汽车行业创新发展
发布时间:2024-06-27
2024年6月26日,中国上海——全球领先的嵌入式系统开发软件解决方案供应商IAR与矽力杰半导体宣布,最新版本IAR Embedded Workbench for Arm 全面支持矽力杰SA32BXX车规ASIL-B MCU,助力中国汽车行业开发者的创新研发。作为模拟和数字半导体领先...
MOS场效应管在可变电阻区,漏源电阻RDS受谁控制
发布时间:2024-06-27
在MOS场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的工作中,一个重要参数是漏源电阻(RDS)。特别是在MOS管处于可变电阻区时,RDS的大小对其性能和特性起着关键作用。那么在可变电阻区,MOS场效应管的漏源电阻受谁控制呢?这是一个值...
探究MOS管和BJT内部的极间电容
发布时间:2024-06-27
当谈及半导体器件中的极间电容时,MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)和BJT(Bipolar Junction Transistor)是两种常见且重要的器件类型。这些器件内部包含不同类型的极间电容,影响着其性能和特性。MOS管供应商-中芯巨能将...
探究半导体的oVL测量技术
发布时间:2024-06-26
随着科学技术的不断发展,半导体材料在电子行业中扮演着越来越重要的角色。为了确保半导体器件的生产质量和性能,常常需要对其进行精密的测量和分析。其中,oVL(overlay)测量技术作为一项重要的半导体测量技术,在半导体生产领域中发挥着关键的作用...
二极管伏安特性曲线在何种条件下可以线性应用?
发布时间:2024-06-26
二极管是最常用的半导体器件之一,广泛应用于电子电路中。它具有非线性的伏安特性曲线,即电压和电流之间的关系并非简单的线性关系。然而,在某些特定条件下,二极管的伏安特性曲线可以被近似地看作是线性的,从而可以线性应用。本文将探讨二极管伏...
爱普生IMU产品助力激光雷达测绘领域的技术创新
发布时间:2024-06-26
在雷达技术快速发展的今天,激光雷达测绘技术成为备受关注的领域。该技术融合了激光测距系统、全球定位系统(GPS)和惯性导航系统三种技术,其中激光雷达采用激光扫描反射物体,并结合惯性测量单元(IMU)精确测量出激光雷达自身姿态数据,从而实时获取高...
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