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SPI多从机隔离通信中数字隔离器并联问题与解决方案
发布时间:2025-12-12
在工业控制系统中,SPI总线因其高速、全双工和简单协议结构,常被用于MCU与多个传感器、ADC或外设之间的板级通信。为节省主控IO资源,一主多从架构下常将MISO信号线复用,并通过独立片选(CS)控制从机。然而,当引入数字隔离器(如纳芯微NSI8241W)进行高...
双管反激中SiC MOSFET关断电压不均问题的PCB寄生电容分析
发布时间:2025-12-08
在高压光伏与储能系统中,双管反激拓扑因其开关应力低、无需钳位电路等优势,常与1700V SiC MOSFET(如英飞凌的IMBF170R450M1)搭配使用。理论上,两个开关管共用一路PWM信号、同开同关,各自承受的关断电压应等于母线电压的一半。然而在实际调试中,工...
隔离式降压转换器设计要点解析
发布时间:2025-12-06
在电源设计中,当系统需要电气隔离、多路输出或安全合规时,隔离式降压(Isolated Buck)拓扑成为常见选择。其结构本质上是在传统降压转换器中用电变压器替代电感,从而实现原副边的电气隔离,同时保留降压的基本工作逻辑。工作原理简析隔离式降压转...
意法半导体高压MOSFET技术解析:从工业电源到车载系统的全链路选型指南
发布时间:2025-12-06
在高效率能量转换系统中,高压MOSFET的性能直接决定功率密度、效率与可靠性。意法半导体(ST)凭借其MDmesh™超结技术平台,已构建覆盖 250V至1700V 的完整高压MOSFET产品矩阵,广泛应用于工业电源、新能源储能及汽车电子等领域。本文从工程师视角,...
理想二极管在工业UPS电源ORing与源选择中的应用
发布时间:2025-12-05
在工业不间断电源(UPS)系统中,主电源与备用电池之间的无缝切换是保障关键负载持续运行的核心。传统肖特基二极管虽可实现基本的“ORing”功能,但其正向压降(通常0.3–0.5 V)会导致显著功耗和热管理难题,尤其在24 V、数安培以上的系统中更为突出。...
数字隔离器在电动汽车充电桩中的应用与技术解析
发布时间:2025-12-04
随着《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案(2025—2027年)》的发布,到2027年底,全国将建成2800万个充电设施,提供超过3亿千瓦的公共充电容量。然而,在大规模铺设充电网络的同时,如何提升充电桩的安全性、可靠性和能效性成为关键。本文...
恩智浦i.MX RT系列MCU技术解析
发布时间:2025-12-04
恩智浦i.MX RT系列跨界MCU融合实时控制与高性能处理能力,广泛适用于工业自动化、物联网终端及汽车电子等对性能、集成度与能效有高要求的应用场景。该系列基于Arm Cortex-M内核,结合高密度SRAM、丰富外设与低功耗设计,兼顾微控制器的实时性与...
过采样技术提升ADC动态性能:原理与工程实现
发布时间:2025-12-03
在高速、高精度数据采集系统中,模数转换器(ADC)的动态性能常成为瓶颈。信噪比(SNR)、有效位数(ENOB)、总谐波失真(THD)等指标直接决定系统能否分辨微弱信号或抑制干扰。而过采样(Oversampling)作为一种低成本、易实现的技术,可在不更换硬件的前提下显...
STM32WL3R:一颗芯片如何重塑智能家居遥控器生态
发布时间:2025-12-03
在智能家居迈向“无感交互”与“超长续航”的时代,遥控器这一看似传统的交互终端正经历一场静默革命。全球智能遮阳系统领导者尚飞(Somfy)近日宣布,其新一代遥控产品将全面采用意法半导体(ST)专为其定制开发的 STM32WL3R 芯片上系统(SoC),标志着行...
高功率OBC中SiC器件封装对比分析
发布时间:2025-12-01
随着电动汽车对充电速度与续航能力要求的提升,车载充电器(OBC)正朝着更高功率密度、更小体积和更高效率方向发展。在这一趋势下,碳化硅(SiC)等宽禁带(WBG)半导体器件因其优异的开关特性,已成为主流选择。然而,仅依靠材料升级已不足以满足设计目标,封...
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