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2SK3878 东芝半导体 MOSFET

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2SK3878 是一款 N 沟道功率 MOSFET，设计用于高速开关应用。该晶体管由东芝半导体制造，具有低导通电阻和高速开关能力，适用于各种电子设备和电源电路，是逆变焊机电子元器件常用型号。

以下是 2SK3878 的主要规格：

1. 额定电压（漏极至源极）：VDSS = 900V。该值表示栅极无偏置时可在漏极端子和源极端子之间施加的最大允许电压。

2. 额定电流 (ID)：连续漏极电流指定为 9A。这表示晶体管完全导通时可以流过漏极端子的最大连续电流。

3. 功耗(PD)：2SK3878的功耗为50W，这意味着当正确安装到合适的散热器时，设备在不损坏其内部结构的情况下可以安全处理的最大热量为50瓦。

4. 栅极阈值电压（VGS(th)）：栅极阈值电压表示导通 MOSFET 所需的最小电压。对于 2SK3878，其额定电压介于 2V 和 4V 之间。

5. 漏源导通电阻 (RDS(on))：在 VGS = 10V 和 ID = 4.5A 时，2SK3878 的导通电阻通常为 0.75Ω。 RDS(on)值表征MOSFET完全导通时的电阻，影响器件的整体效率。

6. 封装：2SK3878 采用 TO-3P(N) 封装，专为通孔安装在印刷电路板上而设计。2SK3878规格书联系客服：13310830171 索要。

2SK3878 的价格：
中芯巨能为您提供具有竞争力的2SK3878报价，客服微信：13310830171，企业微信二维码：
2SK3878 东芝半导体 MOSFET

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