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AO3400是AOS(万代)一款N沟道MOSFET。AOS代理商-中芯巨能将为大家提供AO3400中文参数、功能特点及应用领域。
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系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):5.8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 5.8A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.45V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):630pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:SOT-23-3
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1. N沟道MOSFET: AO3400是一种N沟道场效应晶体管,通常具有低开启电压和低导通电阻。
2. 低电阻: 具有低导通电阻,有助于减少功率损耗和提高效率。
3. 低压驱动: 适用于低电压驱动应用,能够在较低的控制电压下工作。
4. 小型封装: 常见的封装包括SOT23,体积小巧,适合于空间有限的应用。
5. 高开关速度: 具有较快的开关速度,有助于提高电路的响应速度。
1. 移动设备: 常用于手机、平板电脑等移动设备的电源管理和电池充放电控制。
2. 便携式电子设备: 适用于各种便携式电子产品,如便携式音频设备、数码相机等。
3. 电源管理: 在各种电源管理电路中发挥作用,如电源开关、稳压器等。
4. DC-DC转换器: 用于直流-直流转换器,如降压转换器和升压转换器。
5. 充电电路: 可能用于充电管理电路,如电池充电器和充电保护电路。
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