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制造商产品型号：AOSP21357
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述：MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：16A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 16A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10V
Vgs（最大值）：±25V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2830pF @ 15V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：8-SOIC
这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻，这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方。
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