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AOZ5516QI是AOS(万代)一款采用QFN5x5封装的55A高功率DrMOS模块。AOS代理商-中芯巨能将为大家提供AOZ5516QI中文参数、产品特点及现货。
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AOZ5516QI是AOS(万代)一款采用QFN5x5封装的55A高功率DrMOS模块。 它使用PWM和FCCM输入来精确控制功率MOSFET的开关活动，兼容3V/5V逻辑，支持三态PWM。可驱动Low-Side MOSFET至二极管续流模式，以提供异步操作从而改善轻载性能。AOS代理商-中芯巨能将为大家提供AOZ5516QI中文参数、产品特点及现货。
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功率级类型：DrMOS
包裹：QFN5x5A-31L
最小电压( V)：4.5
最大电压( V)：25
绝对最大 V （V）：30
最大直流电流 (A)：55
最大峰值 I (A)：120
脉宽调制输入（V）：5
三态范围 (V)：1.6 - 3.4
最大频率 (MHz)：2
关机控制：FCCM=TS，PWM=TS
启用二极管仿真模式：FCCM = L
输入电压范围4.5V至25V
连续输出电流55A
10µs开启脉冲高达120A
开关频率高达2MHz
兼容3V/5V PWM和三态输入
支持Intel® Power State 4
FCCM控制用于二极管续流/CCM模式
工业标准的3.5mm x 4.5mm QFN-31L封装
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