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BSC500N20NS3-G是英飞凌N 沟道功率 MOSFET，代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供BSC500N20NS3-G中文参数、应用及数据手册。
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BSC500N20NS3-G是英飞凌N 沟道功率 MOSFET，代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供BSC500N20NS3-G中文参数、应用及数据手册。
英飞凌的 200V OptiMOS™ 产品是性能领先的基准技术，非常适合 48V 系统、DC-DC 转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动逆变器中的同步整流。
耗散功率：96 W
上升时间：5 ns
输入电容(Ciss)：1190pF @100V(Vds)
下降时间：7 ns
工作温度(Max)：150 ℃
工作温度(Min)：-55 ℃
耗散功率(Max)：96000 mW
工作温度：-55℃ ~ 150℃
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