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BSS169H6327是是英飞凌一款1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA MOSFET，代理销售Infineon(英飞凌)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为大家提供BSS169H6327中文参数、产品规格书pdf下载及现货。
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制造商产品型号：BSS169H6327
描述：MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：HEXFET?
零件状态：有源
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3.7A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 3.7A，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 5V
Vgs（最大值）：±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：633pF @ 10V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：1.3W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：Micro3?/SOT-23
点击此处下载BSS169H6327的原厂技术规格书Datasheet（PDF文件）
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