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BSS169H6327 Infineon(英飞凌) MOSFET

BSS169H6327是是英飞凌一款1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA MOSFET,代理销售Infineon(英飞凌)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为大家提供BSS169H6327中文参数、产品规格书pdf下载及现货。

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BSS169H6327中文参数

制造商产品型号:BSS169H6327

制造商:Infineon英飞凌

描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23

系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个

产品系列:HEXFET?

零件状态:有源

FET类型:P 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

25°C时电流-连续漏极(Id):3.7A(Ta)

驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V

不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):65 毫欧 @ 3.7A,4.5V

不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 5V

Vgs(最大值):±12V

不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):633pF @ 10V

FET功能:-

功率耗散(最大值):1.3W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

器件封装:Micro3?/SOT-23

点击此处下载BSS169H6327的原厂技术规格书Datasheet(PDF文件)

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原厂渠道资源长期稳定供货

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建立快反机制提高产品交付力

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多重成本管理

多重成本管理合理减少客户成本

精细化成本管理,合理管控时间成本、采购成本,缩短采购周期
根据客户需求,提供选型指导,输出采购
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