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FDMS86101是onsemi(安森美)一款N 沟道 MOSFET，代理销售onsemi(安森美)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供FDMS86101中文参数、数据手册及现货。
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制造商产品型号：FDMS86101
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：PowerTrench?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
25°C时电流-连续漏极(Id)：12.4A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 50V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），104W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：8-PQFN（5x6）
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