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FQPF4N90C是onsemi(安森美)一款1个N沟道 耐压:900V 电流:4A的MOSFET，代理销售onsemi(安森美)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供FQPF4N90C中文参数、规格书及现货。
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制造商产品型号：FQPF4N90C
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：QFET?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：900V
25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 欧姆 @ 2A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：960pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：47W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-220F
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