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HYG053N10NS1C2是华羿微一款100V、4.6mΩ、PDFN8L（5x6）封装场效应管，代理销售华羿微全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供BL2HYG053N10NS1C2中文参数、引脚图及功能框图。
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HYG053N10NS1C2是华羿微一款100V、4.6mΩ、PDFN8L（5x6）封装场效应管，代理销售华羿微全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供BL2HYG053N10NS1C2中文参数、引脚图及功能框图。
类型 ：1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V
连续漏极电流(Id)：95A
导通电阻(RDS(on))：4.6mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd) ：83.3W
阈值电压(Vgs(th)) ：3V
栅极电荷量(Qg)：73nC
输入电容(Ciss@Vds)：3.744nF@0V
反向传输电容(Crss)：153pF
工作温度：-55℃~+175℃
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常年备货Altera、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST等品牌现货库存，现货供应逻辑器件、数字信号处理器、单片机/微控制器、场效应管、IGBT单管、电源管理等，满足电子元器件及时性采购与开发需求
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