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IRF630是STMicroelectronics一款采用 DPAK 封装的 N 沟道 200 V、0.35 欧姆（典型值）、9 A 功率 MOSFET。代理销售ST意法半导体旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为大家提供IRF630中文简介及规格参数等内容。
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该功率 MOSFET 采用该公司基于整合条带布局的 MESH OVERLAY™ 工艺设计。与各种来源的标准零件相比，该技术匹配并提高了性能。
包裹：管子
零件状态：积极的
场效应管类型：N沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：9A（温度）
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：400mOhm@4.5A，10V
Vgs(th)（最大值）@Id：4V@250μA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：45nC@10V
Vgs（最大）：±20V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：700pF@25V
场效应管特点：-
功耗（最大）：75W（温度）
工作温度：-65°C ~ 150°C（太焦）
安装类型：通孔
供应商设备封装：TO-220AB
包装/箱：TO-220-3
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