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IXFH80N65X2是Littelfuse/IXYS公司一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有较高的耐压能力和低导通电阻。它适用于高压、高频和高温应用环境,具有良好的开关特性和热特性。。代理销售现货供应Littelfuse/IXYS旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能将为大家提供IXFH80N65X2中文参数、功能特点、应用领域。
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制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收购)
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HiPerFET
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650V
25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 40A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5.5V @ 4mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):143nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8245pF @ 25V
功率耗散(最大值):890W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-247
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1. 高耐压能力:IXFH80N65X2具有较高的耐压能力,适用于高压应用场合。
2. 低导通电阻:具有低导通电阻,能够降低功率损耗和提高效率。
3. 高频特性:适用于高频开关电源和变换器等应用。
4. 高温特性:具有良好的热特性,适用于高温环境下的工作。
5. 封装形式:IXFH80N65X2采用TO-247封装,便于散热和安装。
IXFH80N65X2广泛应用于以下领域:
1. 电力电子:用于高压开关电源、逆变器、变换器等电力电子设备。
2. 工业控制:用于高压、高频开关电源和驱动器等工业控制设备。
3. 汽车电子:用于汽车电子系统中的高压电源管理和驱动控制。
4. 太阳能逆变器:用于太阳能发电系统的逆变器和功率调节器。
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