MT41K256M16TW-107:P Micron(美光) 存储器

MT41K256M16TW-107:P是Micron(美光半导体)一款双倍数据速率同步动态随机存取存储器。Micron代理商-中芯巨能将为大家提供MT41K256M16TW-107:P中文参数、功能特点及应用领域。

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一、MT41K256M16TW-107:P中文参数

品牌：Micron美光半导体

产品系列：存储器

包装：托盘

零件状态：有源

存储器类型：易失

存储器格式：DRAM

技术：SDRAM - DDR3L

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二、MT41K256M16TW-107:P功能特点

1.容量和速度：具有256Mb（兆比特）容量，速度等级达DDR3-1600，能够实现高速的数据传输和处理。

2.双倍数据速率（DDR）技术：采用DDR技术，能够在时钟信号的上升沿和下降沿两个时钟周期内传输数据，提高了数据传输速率。

3.低能耗：DDR3SDRAM相比较于早期的DDR2SDRAM，在相同工作频率下能够降低功耗，有利于提高设备的能效。

4.高密度：拥有256Mb的存储容量，适用于对内存需求较大的应用，比如图形处理、大型数据库和多任务处理等。

5.高可靠性和稳定性：具备良好的稳定性和可靠性，能够稳定工作在广泛的温度范围内。

三、MT41K256M16TW-107:P应用领域

1.计算机和服务器：用于计算机内存扩展、服务器存储、数据中心等高性能计算设备。

2.工作站和图形处理：适用于工作站、图形处理单元（GPU）和图像处理等领域，提供高速数据传输支持。

3.网络设备：应用于网络路由器、交换机、嵌入式系统等，支持高速数据处理和存储。

4.嵌入式系统：在嵌入式计算设备、工控系统和嵌入式工程中用于内存扩展和数据存储。

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