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LM358DR2G是ONSemiconductor一款双运算放大器。代理销售ON安森美半导体旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能将为大家提供LM358DR2G中文资料:中文参数详解、功能特点及产品应用领域。
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包裹:卷带式 (TR) 切带式 (CT)
零件状态:积极的
放大器类型:一般用途
电路数量:2
输出类型:-
转换率:-
增益带宽积:1兆赫
-3db 带宽:-
电流 - 输入偏置:45纳安
电压 - 输入偏移:2毫伏
供电:800μA(x2 通道)
电流 - 输出/通道:40毫安
电压 - 电源,单/双 (±):3V~32V,±1.5V~16V
工作温度:0℃~70℃
安装类型:表面贴装
包装/箱:8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽)
供应商设备封装:8-SOIC
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1. 双运放集成:LM358DR2G集成了两个独立的运算放大器,适合需要多个运算放大器的应用。
2. 宽电压工作范围:能够在较宽的电源电压范围内工作,通常在单电源或双电源应用中都能正常工作。
3. 低功耗:具有低功耗特性,适合需要长时间运行或电池供电的应用。
4. 高输入阻抗:输入阻抗较高,能够减小对被测电路的影响。
5. 温度稳定性良好:在不同温度下能够保持较好的性能稳定性。
1. 信号调理:用于信号放大、滤波、比较等功能,常用于传感器信号处理、仪器仪表等领域。
2. 电压跟随器:用于实现电压跟随、电压隔离等功能,常用于电源管理、模拟信号处理等应用。
3. 信号发生器:结合外部元件可以实现简单的信号发生器功能,用于测试和校准等领域。
4. 模拟计算:用于模拟计算、模拟运算等功能,常用于模拟电路设计、模拟控制系统等应用。
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提供性价比初期选型指导及高品质IC芯片应用方案,成本比同行方案大大节省费用
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