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NDS331N是ONSemiconductor一款N沟道低电阻场效应管。代理销售ON安森美半导体旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能将为大家提供NDS331N中文资料：中文参数详解、功能特点及产品应用领域。
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包裹：卷带式 (TR) 切带式 (CT)
零件状态：积极的
场效应管类型：N沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：1.3A（塔）
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：2.7V、4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：160毫欧@1.5A，4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id：1V@250μA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：5nC@4.5V
Vgs（最大）：±8V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：162pF@10V
场效应管特点：-
功耗（最大）：500毫瓦（塔）
工作温度：-55°C ~ 150°C（太焦）
安装类型：表面贴装
供应商设备封装：超级SOT-3
包装/箱：TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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1.低电阻：具有较低的导通电阻，有助于减少功耗和提高效率。
2.高性能：具有良好的开关特性，可以在高频率下工作。
3.耐压能力：具备一定的耐压能力和电流承受能力。
-电源管理：可用于电源开关控制电路。
-驱动器应用：适用于各种驱动器电路。
-信号开关：用于各种信号开关应用。
-便携式设备：在便携式设备的功率控制电路中有广泛应用。
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