QS6M4TR ROHM(罗姆) MOSFET

QS6M4TR是ROHM(罗姆)一款N 和 P 沟道MOSFET 。代理销售ROHM(罗姆)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能将为大家提供QS6M4TR中文参数、功能特点及应用领域。

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一、QS6M4TR中文参数

品牌：ROHM,罗姆

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V，20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：230 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.6nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：80pF @ 10V

功率-最大值：1.25W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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二、QS6M4TR功能特点

1. 稳定的电压输出： 可能用于稳定输出电压，使其在不同负载条件下保持恒定。

2. 过压保护： 可能具备过压保护功能，以防止负载电路损坏。

3. 低压差设计： 在输入和输出之间可能有较低的压差，有助于减少能源损耗。

4. 高电流承受能力： 可能具备高电流承受能力，适用于一定功率的应用。

5. 短路保护： 可能包含短路保护功能，以保护电路不受损坏。

三、QS6M4TR应用领域

1. 电源模块和电源适配器： 用于各种电子设备的电源管理模块或适配器。

2. 工业自动化： 在工业控制系统中用于稳定电源输出。

3. 消费电子产品： 例如智能手机、平板电脑等的电源管理和稳压。

4. 医疗设备： 用于医疗设备的电源稳定和管理。

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