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RK7002BMT116是ROHM(罗姆)一款N沟道场效应管。代理销售ROHM(罗姆)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能将为大家提供RK7002BMT116中文参数、功能特点及应用领域。
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系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：250mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：15pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：200mW（Ta）
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：SOT-23
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1、非常快的切换
2、超低压驱动器(25V驱动器)
3、高达2kv的静电电保护 (HBM)
1、开关电路
2、低压负荷开关
3、继电器驱动器
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常年备货Altera、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST等品牌现货库存，现货供应逻辑器件、数字信号处理器、单片机/微控制器、场效应管、IGBT单管、电源管理等，满足电子元器件及时性采购与开发需求
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