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RUM001L02T2CL是ROHM(罗姆)一款N沟道 耐压:20V的场效应管。代理销售ROHM(罗姆)旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能将为大家提供RUM001L02T2CL中文参数、功能特点及应用领域。
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系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：20V
25°C时电流-连续漏极(Id)：100mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 100μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
Vgs（最大值）：±8V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7.1pF @ 10V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：150mW（Ta）
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：VMT3
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1、低电压驱动(1.2V)使该设备成为可分设备的理想选择。
2、驱动电路可以很简单
3、内置G-S保护二极管
转接
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提供性价比初期选型指导及高品质IC芯片应用方案，成本比同行方案大大节省费用
常年备货Altera、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST等品牌现货库存，现货供应逻辑器件、数字信号处理器、单片机/微控制器、场效应管、IGBT单管、电源管理等，满足电子元器件及时性采购与开发需求
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求，中芯巨能建立了快反机制：1分钟快速响应，3分钟精确货源匹配，5分钟报价，现货2小时发货
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根据客户需求，提供选型指导，输出采购
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