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SP6030F是无锡硅动力一款高性能高压半桥栅极驱动芯片,适用于双N沟道MOS管构成的桥式电路设计。代理销售无锡硅动力旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供SP6030F:性能特点、应用领域、应用简图、引脚图及产品规格书。
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SP6030F是无锡硅动力一款高性能高压半桥栅极驱动芯片,适用于双N沟道MOS管构成的桥式电路设计。代理销售无锡硅动力旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供SP6030F:性能特点、应用领域、应用简图、引脚图及产品规格书。
高侧浮动电压最高耐压+600V,极限耐压+650V
最大拉电流 0.45A,灌电流 1A
高低侧电源具有独立UVLO保护
10V~20V 栅极驱动电源电压
输入信号兼容 3.3V、5V 和 15V 电压逻辑
VS 具有耐持续-5V 电压能力
内置 120ns 死区时间
高低侧输出互锁功能
SP6030F因高侧采用自举浮动电源设计,极限耐压650V;具有0.45/1A驱动拉灌电流,对各类MOS管具有良好的驱动适配性。产品各项性能均可以满足高性价比的高速风筒、无刷水泵以及家用电器等驱动系统的性能需求。非常适合电机驱动、工业控制、智能家电等领域。
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