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瑞萨电子同步突发静态随机存储器（SyncBurst SRAM）提供高速、低延迟的数据访问，支持连续数据块读写，适用于高性能计算和实时系统，确保快速响应和高效运作。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供瑞萨电子同步突发静态随机存储器选型表及现货。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
| 型号 | 描述 | 封装 |
|---|---|---|
| 71V25761 | 3.3V 128K x 36 Synchronous Pipelined Burst SRAM with 2.5V I/O | PKG100 |
| 71V3576 | 3.3V 128K x 36 Synchronous PipeLined Burst SRAM w/3.3V I/O | PKG100 |
| 71V35761 | 3.3V 128K x 36 Synchronous PipeLined Burst SRAM w/3.3V I/O | BGG119, BQG165, PKG100 |
| 71V3577 | 3.3V 128K x 36 Synchronous Flowthrough SRAM with 3.3V I/O | BG119, BQG165, PKG100 |
| 71V3578 | 3.3V 256K x 18 Synchronous Flow-Through SRAM w/3.3V I/O | PKG100 |
| 71V3579 | 3.3V 256K x 18 Synchronous Flow-Through SRAM with 3.3V I/O | PKG100 |
| 71V67602 | 3.3V 256K x 36 Synchronous 2.5V I/O PipeLined SRAM | PKG100 |
| 71V67603 | 3.3V 256K x 36 Synchronous 3.3V I/O PipeLined SRAM | PKG100 |
| 71V67703 | 3.3V 256K x 36 Synchronous 3.3V I/O Flow-Through SRAM | BQ165, BQG165, PKG100 |
| 71V67803 | 3.3V 512K x 18 Synchronous 3.3V I/O PipeLined SRAM | BQ165 |
| 71V67903 | 3.3V 512K x 18 Synchronous 3.3V I/O Flow-Through SRAM | BQ165 |
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