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瑞萨电子高级低功耗静态随机存取存储器，通过采用独家技术优化了存储单元结构，使其软错误抵抗力比传统全CMOS存储单元高出500倍以上。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供瑞萨电子静态随机存取存储器选型表及现货。如需产品规格书、选型指导、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
| 型号 | 描述 | 温度范围 |
|---|---|---|
| R1LP0108E | 1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| R1LP0408D | 4Mb Advanced LPSRAM (512-kword × 8-bit) | -40 to +85°C |
| R1LP5256E | 256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| R1LV0108E | 1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| R1LV0208BSA | 2Mb Advanced LPSRAM (256k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| R1LV0216BSB | 2Mb Advanced LPSRAM (128k word x 16bit) | -40 to +85°C |
| R1LV5256E | 256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0408E | 4Mb Advanced LPSRAM (512-kword × 8-bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0414E | 4Mb Advanced LPSRAM (256-kword × 16-bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0416E | 4Mb Advanced LPSRAM (256-kword × 16-bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0808BGSB | 8Mb Advanced LPSRAM (1024k word × 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0816BGBG | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0816BGSA | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0816BGSB | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0816BGSD | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV1616A | 16Mb Advanced LPSRAM (1M word × 16bit / 2M word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV1616A-U | 16Mbit LPSRAM (1M word × 16bit / 2M word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV3216A | 32Mb Advanced LPSRAM (2M word × 16bit / 4M word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMWV3216A | 32Mb Advanced LPSRAM (2M word × 16bit) | -40 to +85°C |
| RMWV6416A | 64Mb Advanced LPSRAM (4M word × 16bit / 8M word x 8bit) | -40 to +85°C |
瑞萨电子提供从低分辨率到高分辨率的广泛数字电位计（DCP）选择，涵盖单、双和四倍配置。这些数字电位计不仅精确、易于调整，还显著降低了制造复杂性，为各种应用提供了可靠的微调和控制手段。瑞萨电代理商-中芯巨能为您介绍瑞萨电子数字电位计产品特点及应用领域。如需产品规格书、选...【详情+】
瑞萨电子异步静态随机存取存储器（SRAM）提供高速数据读写，无需刷新电路，功耗低，稳定性强，适用于各种嵌入式系统和工业应用。产品系列广泛，满足不同容量和性能需求。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供瑞萨电子异步静态随机存取存储器选型表及现货。如需产品规格书、选型指导、样片测试、...【详情+】
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